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  • 濺射設備：CS-200z CS-200z
    在真空條件下，氬氣在DC或RF作用下產生氬離子，高能的氬離子撞擊靶材 產生濺射。濺射出的原子或分子離開靶材，沉積在基板表面，形成薄膜。成膜種…
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  • 濺射設備：SME-200 SME-200
    全自動多工藝對應用最大搭載7個工藝腔的濺射設備，可實現(xiàn)多種類材料濺射，諸如高溫成膜（PZT等）、高精度側壁成膜、光學膜、化合物膜、合金膜等…
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  • 濺射設備：ULDIS系列 ULDIS系列
    1.對于光學薄膜的濺射裝置烏爾迪斯布系列，間模式?在數(shù)字濺射裝置進化技術，實現(xiàn)了光學薄膜的一個更高的質量。 2.與美國JDS Uniphase達成新的許可協(xié)…
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  • 濺射設備：SIV-500 SIV-500
    用于particle抑制的通過型豎直濺射，可實現(xiàn)基板往復或line式搬送，多用于SiO、SiN等光學薄膜濺射，亦可用于金屬濺射。
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  • 刻蝕設備：INE-3085 INE-3085
    面向LED、Powerdevice、MEMS等諸多領域開發(fā)，搭載靜電吸附系統(tǒng)，采用更大的靜電托盤，較常規(guī)設備擁有更高的刻蝕速率和更大的產能。同時搭載ULVAC專利的…
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  • 刻蝕設備：NE-550EXz NE-550EXz
    在高真空條件下，通過RF高頻放電，產生等離子體，在偏壓的作用下，通過物理和化學的作用，對特定的材料去除。蝕刻材料：金屬，GaN，In P，SiO2，Si …
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  • 刻蝕設備：NE-950EX NE-950EX
    在高真空條件下，通過RF高頻放電，產生等離子體，在偏壓的作用下，通過物理和化學的作用，對特定的材料去除。蝕刻材料：金屬，GaN，In P，SiO2，Si …
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  • 刻蝕設備：NE-5700 NE-5700
    量產用刻蝕設備NE-5700是可以對應單腔及多腔、重視性價比擁有擴展性的刻蝕設備，注重性價比。
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  • 刻蝕設備：NLD-570 NLD-570
    研究開發(fā)向NLD干法刻蝕設備NLD-570，是搭載了愛發(fā)科獨創(chuàng)的磁性中性線（NLD- neutral loop discharge）等離子源的裝置，此NLD技術可實現(xiàn)產生低壓、低電子溫度…
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  • 刻蝕設備：NLD-5700 NLD-5700
    對應光學器件、MEMS制造的干法刻蝕裝置NLD-5700是搭載了磁性中性線（NLD- neutral loop discharge）等離子源的量產用干法刻蝕裝置。（此愛發(fā)科獨創(chuàng)的NLD技術…
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  • PECVD：CC-200Cz CC-200Cz
    在真空條件下，通過射頻放電，讓氣體活化發(fā)生化學反應，在基板表面沉積形成薄膜。成膜種類：SiO2，SiNx ，SiON。等離子增強型，膜質好，均勻性高，L…
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  • PECVD：CX-500z CX-500z
    在真空條件下，通過射頻放電，讓氣體活化發(fā)生化學反應，在基板表面沉積形成薄膜。成膜種類：SiO2，SiNx ，SiON。等離子增強型，膜質好，均勻性高，L…
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  • 蒸發(fā)設備：蒸發(fā)Ei系列 ei-5z 蒸發(fā)Ei系列 ei-5z
    1.Batch式高真空蒸發(fā)設備ei系列是可對應在基板上成金屬膜或氧化物膜的設備?？赏ㄟ^操作面板進行集中控制，實現(xiàn)抽真空、成膜等作業(yè)內容的集中自動…
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  • 蒸發(fā)設備：蒸發(fā)Ei系列 ei-7z 蒸發(fā)Ei系列 ei-7z
    1.Batch式高真空蒸發(fā)設備ei系列是可對應在基板上成金屬膜或氧化物膜的設備?？赏ㄟ^操作面板進行集中控制，實現(xiàn)抽真空、成膜等作業(yè)內容的集中自動…
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  • 蒸發(fā)設備：蒸發(fā)Ei系列 ei-501z 蒸發(fā)Ei系列 ei-501z
    1.Batch式高真空蒸發(fā)設備ei系列是可對應在基板上成金屬膜或氧化物膜的設備。可通過操作面板進行集中控制，實現(xiàn)抽真空、成膜等作業(yè)內容的集中自動…
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  • 蒸發(fā)設備：蒸發(fā)Esz系列 Esz-R-1/2 蒸發(fā)Esz系列 Esz-R-1/2
    Batch式高真空蒸發(fā)設備ei系列是可對應在基板上成金屬膜或氧化物膜的設備。可通過操作面板進行集中控制，實現(xiàn)抽真空、成膜等作業(yè)內容的集中自動化…
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