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  • 刻蝕設(shè)備：INE-3085 INE-3085
    面向LED、Powerdevice、MEMS等諸多領(lǐng)域開發(fā)，搭載靜電吸附系統(tǒng)，采用更大的靜電托盤，較常規(guī)設(shè)備擁有更高的刻蝕速率和更大的產(chǎn)能。同時搭載ULVAC專利的…
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  • 刻蝕設(shè)備：NE-550EXz NE-550EXz
    在高真空條件下，通過RF高頻放電，產(chǎn)生等離子體，在偏壓的作用下，通過物理和化學(xué)的作用，對特定的材料去除。蝕刻材料：金屬，GaN，In P，SiO2，Si …
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  • 刻蝕設(shè)備：NE-950EX NE-950EX
    在高真空條件下，通過RF高頻放電，產(chǎn)生等離子體，在偏壓的作用下，通過物理和化學(xué)的作用，對特定的材料去除。蝕刻材料：金屬，GaN，In P，SiO2，Si …
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  • 刻蝕設(shè)備：NE-5700 NE-5700
    量產(chǎn)用刻蝕設(shè)備NE-5700是可以對應(yīng)單腔及多腔、重視性價比擁有擴展性的刻蝕設(shè)備，注重性價比。
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  • 刻蝕設(shè)備：NLD-570 NLD-570
    研究開發(fā)向NLD干法刻蝕設(shè)備NLD-570，是搭載了愛發(fā)科獨創(chuàng)的磁性中性線（NLD- neutral loop discharge）等離子源的裝置，此NLD技術(shù)可實現(xiàn)產(chǎn)生低壓、低電子溫度…
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  • 刻蝕設(shè)備：NLD-5700 NLD-5700
    對應(yīng)光學(xué)器件、MEMS制造的干法刻蝕裝置NLD-5700是搭載了磁性中性線（NLD- neutral loop discharge）等離子源的量產(chǎn)用干法刻蝕裝置。（此愛發(fā)科獨創(chuàng)的NLD技術(shù)…
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