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              濺射設(shè)備：CS-200z
              CS-200z
			
        
                   
        
                       
        在真空條件下，氬氣在DC或RF作用下產(chǎn)生氬離子，高能的氬離子撞擊靶材 產(chǎn)生濺射。濺射出的原子或分子離開靶材，沉積在基板表面，形成薄膜。成膜種…
        
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              濺射設(shè)備：SME-200
              SME-200
			
        
                   
        
                       
        全自動多工藝對應(yīng)用最大搭載7個工藝腔的濺射設(shè)備，可實現(xiàn)多種類材料濺射，諸如高溫成膜（PZT等）、高精度側(cè)壁成膜、光學(xué)膜、化合物膜、合金膜等…
        
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              濺射設(shè)備：ULDIS系列
              ULDIS系列
			
        
                   
        
                       
        1.對于光學(xué)薄膜的濺射裝置烏爾迪斯布系列，間模式?在數(shù)字濺射裝置進化技術(shù)，實現(xiàn)了光學(xué)薄膜的一個更高的質(zhì)量。
2.與美國JDS Uniphase達成新的許可協(xié)…
        
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              刻蝕設(shè)備：INE-3085
              INE-3085
			
        
                   
        
                       
        面向LED、Powerdevice、MEMS等諸多領(lǐng)域開發(fā)，搭載靜電吸附系統(tǒng)，采用更大的靜電托盤，較常規(guī)設(shè)備擁有更高的刻蝕速率和更大的產(chǎn)能。同時搭載ULVAC專利的…
        
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              刻蝕設(shè)備：NE-550EXz
              NE-550EXz
			
        
                   
        
                       
        在高真空條件下，通過RF高頻放電，產(chǎn)生等離子體，在偏壓的作用下，通過物理和化學(xué)的作用，對特定的材料去除。蝕刻材料：金屬，GaN，In P，SiO2，Si …
        
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              刻蝕設(shè)備：NE-5700
              NE-5700
			
        
                   
        
                       
        量產(chǎn)用刻蝕設(shè)備NE-5700是可以對應(yīng)單腔及多腔、重視性價比擁有擴展性的刻蝕設(shè)備，注重性價比。
        
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              刻蝕設(shè)備：NLD-570
              NLD-570
			
        
                   
        
                       
        研究開發(fā)向NLD干法刻蝕設(shè)備NLD-570，是搭載了愛發(fā)科獨創(chuàng)的磁性中性線（NLD- neutral loop discharge）等離子源的裝置，此NLD技術(shù)可實現(xiàn)產(chǎn)生低壓、低電子溫度…
        
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              刻蝕設(shè)備：NLD-5700
              NLD-5700
			
        
                   
        
                       
        對應(yīng)光學(xué)器件、MEMS制造的干法刻蝕裝置NLD-5700是搭載了磁性中性線（NLD- neutral loop discharge）等離子源的量產(chǎn)用干法刻蝕裝置。（此愛發(fā)科獨創(chuàng)的NLD技術(shù)…
        
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              PECVD：CC-200Cz
              CC-200Cz
			
        
                   
        
                       
        在真空條件下，通過射頻放電，讓氣體活化發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，在基板表面沉積形成薄膜。成膜種類：SiO2，SiNx ，SiON。等離子增強型，膜質(zhì)好，均勻性高，L…
        
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              PECVD：CX-500z
              CX-500z
			
        
                   
        
                       
        在真空條件下，通過射頻放電，讓氣體活化發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，在基板表面沉積形成薄膜。成膜種類：SiO2，SiNx ，SiON。等離子增強型，膜質(zhì)好，均勻性高，L…
        
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              蒸發(fā)設(shè)備：蒸發(fā)Ei系列 ei-5z
              蒸發(fā)Ei系列 ei-5z
			
        
                   
        
                       
        1.Batch式高真空蒸發(fā)設(shè)備ei系列是可對應(yīng)在基板上成金屬膜或氧化物膜的設(shè)備?？赏ㄟ^操作面板進行集中控制，實現(xiàn)抽真空、成膜等作業(yè)內(nèi)容的集中自動…
        
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              蒸發(fā)設(shè)備：蒸發(fā)Ei系列 ei-7z
              蒸發(fā)Ei系列 ei-7z
			
        
                   
        
                       
        1.Batch式高真空蒸發(fā)設(shè)備ei系列是可對應(yīng)在基板上成金屬膜或氧化物膜的設(shè)備?？赏ㄟ^操作面板進行集中控制，實現(xiàn)抽真空、成膜等作業(yè)內(nèi)容的集中自動…
        
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              蒸發(fā)設(shè)備：蒸發(fā)Ei系列 ei-501z
              蒸發(fā)Ei系列 ei-501z
			
        
                   
        
                       
        1.Batch式高真空蒸發(fā)設(shè)備ei系列是可對應(yīng)在基板上成金屬膜或氧化物膜的設(shè)備?？赏ㄟ^操作面板進行集中控制，實現(xiàn)抽真空、成膜等作業(yè)內(nèi)容的集中自動…
        
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              蒸發(fā)設(shè)備：蒸發(fā)Esz系列 Esz-R-1/2
              蒸發(fā)Esz系列 Esz-R-1/2
			
        
                   
        
                       
        Batch式高真空蒸發(fā)設(shè)備ei系列是可對應(yīng)在基板上成金屬膜或氧化物膜的設(shè)備?？赏ㄟ^操作面板進行集中控制，實現(xiàn)抽真空、成膜等作業(yè)內(nèi)容的集中自動化…
        
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