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·功率器件(Si)
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·LED/OLED
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濺射設(shè)備:CS-200z
在真空條件下,氬氣在DC或RF作用下產(chǎn)生氬離子,高能的氬離子撞擊靶材 產(chǎn)生濺射。濺射出的原子或分子離開靶材,沉積在基板表面,形成薄膜。成膜種…
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濺射設(shè)備:SME-200
全自動(dòng)多工藝對(duì)應(yīng)用最大搭載7個(gè)工藝腔的濺射設(shè)備,可實(shí)現(xiàn)多種類材料濺射,諸如高溫成膜(PZT等)、高精度側(cè)壁成膜、光學(xué)膜、化合物膜、合金膜等…
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濺射設(shè)備:ULDIS系列
1.對(duì)于光學(xué)薄膜的濺射裝置烏爾迪斯布系列,間模式?在數(shù)字濺射裝置進(jìn)化技術(shù),實(shí)現(xiàn)了光學(xué)薄膜的一個(gè)更高的質(zhì)量。 2.與美國(guó)JDS Uniphase達(dá)成新的許可協(xié)…
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刻蝕設(shè)備:INE-3085
面向LED、Powerdevice、MEMS等諸多領(lǐng)域開發(fā),搭載靜電吸附系統(tǒng),采用更大的靜電托盤,較常規(guī)設(shè)備擁有更高的刻蝕速率和更大的產(chǎn)能。同時(shí)搭載ULVAC專利的…
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刻蝕設(shè)備:NE-550EXz
在高真空條件下,通過(guò)RF高頻放電,產(chǎn)生等離子體,在偏壓的作用下,通過(guò)物理和化學(xué)的作用,對(duì)特定的材料去除。蝕刻材料:金屬,GaN,In P,SiO2,Si …
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刻蝕設(shè)備:NE-5700
量產(chǎn)用刻蝕設(shè)備NE-5700是可以對(duì)應(yīng)單腔及多腔、重視性價(jià)比擁有擴(kuò)展性的刻蝕設(shè)備,注重性價(jià)比。
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刻蝕設(shè)備:NLD-570
研究開發(fā)向NLD干法刻蝕設(shè)備NLD-570,是搭載了愛(ài)發(fā)科獨(dú)創(chuàng)的磁性中性線(NLD- neutral loop discharge)等離子源的裝置,此NLD技術(shù)可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)生低壓、低電子溫度…
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刻蝕設(shè)備:NLD-5700
對(duì)應(yīng)光學(xué)器件、MEMS制造的干法刻蝕裝置NLD-5700是搭載了磁性中性線(NLD- neutral loop discharge)等離子源的量產(chǎn)用干法刻蝕裝置。(此愛(ài)發(fā)科獨(dú)創(chuàng)的NLD技術(shù)…
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PECVD:CC-200Cz
在真空條件下,通過(guò)射頻放電,讓氣體活化發(fā)生化學(xué)反應(yīng),在基板表面沉積形成薄膜。成膜種類:SiO2,SiNx ,SiON。等離子增強(qiáng)型,膜質(zhì)好,均勻性高,L…
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PECVD:CX-500z
在真空條件下,通過(guò)射頻放電,讓氣體活化發(fā)生化學(xué)反應(yīng),在基板表面沉積形成薄膜。成膜種類:SiO2,SiNx ,SiON。等離子增強(qiáng)型,膜質(zhì)好,均勻性高,L…
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蒸發(fā)設(shè)備:蒸發(fā)Ei系列 ei-5z
1.Batch式高真空蒸發(fā)設(shè)備ei系列是可對(duì)應(yīng)在基板上成金屬膜或氧化物膜的設(shè)備??赏ㄟ^(guò)操作面板進(jìn)行集中控制,實(shí)現(xiàn)抽真空、成膜等作業(yè)內(nèi)容的集中自動(dòng)…
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蒸發(fā)設(shè)備:蒸發(fā)Ei系列 ei-7z
1.Batch式高真空蒸發(fā)設(shè)備ei系列是可對(duì)應(yīng)在基板上成金屬膜或氧化物膜的設(shè)備。可通過(guò)操作面板進(jìn)行集中控制,實(shí)現(xiàn)抽真空、成膜等作業(yè)內(nèi)容的集中自動(dòng)…
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蒸發(fā)設(shè)備:蒸發(fā)Ei系列 ei-501z
1.Batch式高真空蒸發(fā)設(shè)備ei系列是可對(duì)應(yīng)在基板上成金屬膜或氧化物膜的設(shè)備。可通過(guò)操作面板進(jìn)行集中控制,實(shí)現(xiàn)抽真空、成膜等作業(yè)內(nèi)容的集中自動(dòng)…
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蒸發(fā)設(shè)備:蒸發(fā)Esz系列 Esz-R-1/2
Batch式高真空蒸發(fā)設(shè)備ei系列是可對(duì)應(yīng)在基板上成金屬膜或氧化物膜的設(shè)備??赏ㄟ^(guò)操作面板進(jìn)行集中控制,實(shí)現(xiàn)抽真空、成膜等作業(yè)內(nèi)容的集中自動(dòng)化…
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