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  • 濺射設(shè)備：CS-200z CS-200z
    在真空條件下，氬氣在DC或RF作用下產(chǎn)生氬離子，高能的氬離子撞擊靶材 產(chǎn)生濺射。濺射出的原子或分子離開(kāi)靶材，沉積在基板表面，形成薄膜。成膜種…
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  • 刻蝕設(shè)備：NE-550EXz NE-550EXz
    在高真空條件下，通過(guò)RF高頻放電，產(chǎn)生等離子體，在偏壓的作用下，通過(guò)物理和化學(xué)的作用，對(duì)特定的材料去除。蝕刻材料：金屬，GaN，In P，SiO2，Si …
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  • 刻蝕設(shè)備：NE-5700 NE-5700
    量產(chǎn)用刻蝕設(shè)備NE-5700是可以對(duì)應(yīng)單腔及多腔、重視性價(jià)比擁有擴(kuò)展性的刻蝕設(shè)備，注重性價(jià)比。
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  • PECVD：CC-200Cz CC-200Cz
    在真空條件下，通過(guò)射頻放電，讓氣體活化發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，在基板表面沉積形成薄膜。成膜種類：SiO2，SiNx ，SiON。等離子增強(qiáng)型，膜質(zhì)好，均勻性高，L…
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  • 蒸發(fā)設(shè)備：蒸發(fā)Ei系列 ei-501z 蒸發(fā)Ei系列 ei-501z
    1.Batch式高真空蒸發(fā)設(shè)備ei系列是可對(duì)應(yīng)在基板上成金屬膜或氧化物膜的設(shè)備?？赏ㄟ^(guò)操作面板進(jìn)行集中控制，實(shí)現(xiàn)抽真空、成膜等作業(yè)內(nèi)容的集中自動(dòng)…
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