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濺射設(shè)備:CS-200z
在真空條件下,氬氣在DC或RF作用下產(chǎn)生氬離子,高能的氬離子撞擊靶材 產(chǎn)生濺射。濺射出的原子或分子離開靶材,沉積在基板表面,形成薄膜。成膜種…
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刻蝕設(shè)備:NE-550EXz
在高真空條件下,通過RF高頻放電,產(chǎn)生等離子體,在偏壓的作用下,通過物理和化學(xué)的作用,對特定的材料去除。蝕刻材料:金屬,GaN,In P,SiO2,Si …
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刻蝕設(shè)備:NLD-570
研究開發(fā)向NLD干法刻蝕設(shè)備NLD-570,是搭載了愛發(fā)科獨(dú)創(chuàng)的磁性中性線(NLD- neutral loop discharge)等離子源的裝置,此NLD技術(shù)可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)生低壓、低電子溫度…
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刻蝕設(shè)備:NLD-5700
對應(yīng)光學(xué)器件、MEMS制造的干法刻蝕裝置NLD-5700是搭載了磁性中性線(NLD- neutral loop discharge)等離子源的量產(chǎn)用干法刻蝕裝置。(此愛發(fā)科獨(dú)創(chuàng)的NLD技術(shù)…
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蒸發(fā)設(shè)備:蒸發(fā)Ei系列 ei-501z
1.Batch式高真空蒸發(fā)設(shè)備ei系列是可對應(yīng)在基板上成金屬膜或氧化物膜的設(shè)備??赏ㄟ^操作面板進(jìn)行集中控制,實(shí)現(xiàn)抽真空、成膜等作業(yè)內(nèi)容的集中自動…
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