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刻蝕設(shè)備：NE-950EX

在高真空條件下，通過RF高頻放電，產(chǎn)生等離子體，在偏壓的作用下，通過物理和化學(xué)的作用，對特定的材料去除。蝕刻材料：金屬，GaN，In P，SiO2，Si ，Polymide 等材料。Load –lock 式，全自動(dòng)控制，專利ISM電極,均勻性高，安定性好，構(gòu)造簡單，維護(hù)簡便。

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產(chǎn)品特性 / Product characteristics

? 4inch晶圓可放置7片同時(shí)處理，6inch晶圓可實(shí)現(xiàn)3片同時(shí)處理，小尺寸晶圓方面，2inch晶圓可實(shí)現(xiàn)29片、3英寸可對應(yīng)12片同時(shí)處理 ? 搭載了在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域擁有600臺(tái)以上出貨實(shí)績的有磁場ICP（ISM）高密度等離子源 ? 高生產(chǎn)性（比以前提高140%） ? 為防止RF投入窗的污染待在了愛發(fā)科獨(dú)自開發(fā)的星型電極 ? 徹底貫徹Depo對策，實(shí)現(xiàn)了維護(hù)便利、長期穩(wěn)定、高信賴性的硬件 ? 擁有豐富的工藝應(yīng)用的干法刻蝕技術(shù)（GaN藍(lán)寶石、各種metal、ITO、SiC、AlN、ZnO、4元系化合物半導(dǎo)體） ? 豐富的可選機(jī)能

產(chǎn)品應(yīng)用 / Product application

? 對應(yīng)LED的GaN、藍(lán)寶石、各種金屬、ITO等的干法刻蝕設(shè)備