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刻蝕設(shè)備:NE-550EXz

在高真空條件下,通過RF高頻放電,產(chǎn)生等離子體,在偏壓的作用下,通過物理和化學(xué)的作用,對(duì)特定的材料去除。蝕刻材料:金屬,GaN,In P,SiO2,Si ,Polymide 等材料。Load –lock 式,全自動(dòng)控制,專利ISM電極,均勻性高,安定性好,構(gòu)造簡(jiǎn)單,維護(hù)簡(jiǎn)便。

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產(chǎn)品特性 / Product characteristics



? 蝕刻均勻性,穩(wěn)定性優(yōu)異

? Load –lock式,全自動(dòng)控制

? 應(yīng)用廣泛SiO2,SiN,金屬,化合物等

? 構(gòu)造簡(jiǎn)單,維護(hù)簡(jiǎn)便

? 2,4,6,8inch基板兼容,切換便利



產(chǎn)品應(yīng)用 / Product application



? 功率器件,LED,光通信/傳感器,高校及研究所等。


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