刻蝕設(shè)備：INE-3085

面向LED、Powerdevice、MEMS等諸多領(lǐng)域開發(fā)，搭載靜電吸附系統(tǒng)，采用更大的靜電托盤，較常規(guī)設(shè)備擁有更高的刻蝕速率和更大的產(chǎn)能。同時(shí)搭載ULVAC專利的ISM電極及Star電極，有更高的等離子體密度，同時(shí)擁有更低的電子溫度，有效抑制刻蝕損傷及溫升。

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13913550251（沈先生）

產(chǎn)品介紹

產(chǎn)品特性 / Product characteristics

? 4inch晶圓可放置7片同時(shí)處理，6inch晶圓可實(shí)現(xiàn)3片同時(shí)處理，小尺寸晶圓方面，2inch晶圓可實(shí)現(xiàn)29片、3英寸可對應(yīng)12片同時(shí)處理

? 搭載了在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域擁有600臺以上出貨實(shí)績的有磁場ICP（ISM）高密度等離子源

? 高生產(chǎn)性（比以前提高140%）

? 為防止RF投入窗的污染待在了愛發(fā)科獨(dú)自開發(fā)的星型電極

? 徹底貫徹Depo對策，實(shí)現(xiàn)了維護(hù)便利、長期穩(wěn)定、高信賴性的硬件

? 擁有豐富的工藝應(yīng)用的干法刻蝕技術(shù)（GaN藍(lán)寶石、各種metal、ITO、SiC、AlN、ZnO、4元系化合物半導(dǎo)體）

? 豐富的可選機(jī)能

產(chǎn)品應(yīng)用 / Product application

? 對應(yīng)LED的GaN、藍(lán)寶石、各種金屬、ITO等的干法刻蝕設(shè)備

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刻蝕設(shè)備：INE-3085

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