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蒸發(fā)設(shè)備 濺射設(shè)備 刻蝕設(shè)備 PECVD

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PECVD：CC-200Cz

在真空條件下，通過(guò)射頻放電，讓氣體活化發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，在基板表面沉積形成薄膜。成膜種類：SiO2，SiNx ，SiON。等離子增強(qiáng)型，膜質(zhì)好，均勻性高，Load-lock，托盤(pán)式，多基板尺寸，2inch-8inch 兼容。

具體購(gòu)買(mǎi)政策請(qǐng)致電：
0512-86669111-8150 李女士
13913550251（沈先生）

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• 產(chǎn)品介紹

產(chǎn)品特性 / Product characteristics

? 等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積設(shè)備 ? 用于SiO2,SiN的高精度薄膜沉積 ? 膜層應(yīng)力穩(wěn)定,可調(diào)范圍廣泛 ? 可換托盤(pán)式,基板尺寸切換簡(jiǎn)便 ? 2～12inch,方片,未定型片完美兼容

產(chǎn)品應(yīng)用 / Product application

? 功率器件，LED，光通信/傳感器 ? 高校及研究所等